Наступною видатною флагманською системою Qualcomm на чіпі буде Snapdragon 835. Нещодавно компанія представила цей процесор нового покоління, замінивши популярний Snapdragon 821 і 820 знайдено в сучасному обладнанні, а також понад 200 дизайнів на ринку для поточної лінійки Snapdragon нового покоління.
Компанія не розкрила багато подробиць про архітектуру свого нещодавно розробленого чіпа. Ось що ми знаємо на даний момент про процесор Snapdragon 835:
- Мікросхема побудована з використанням 10-нм (нанометрової) технології Samsung FinFET, що робить її першою в галузі напівпровідниковою технологією, на відміну від 14-нм технології, використовуваної у 821.
- Процесор побудований з наноматеріалів - молекул та атомів розміром менше 100 нанометрів (нм), які виявляють інші властивості, ніж їхні еквіваленти більших частинок: деякі посилені характеристики наноматеріалів включають меншу вагу, більшу міцність та більшу хімічну речовину реактивність.
Більше того, Samsung стверджує, що 10 нм процес може вимірювати до деякої комбінації 30% збільшення ефективності площі, 27% більшої продуктивності або На 40% нижче споживання електроенергії - імовірно, стосовно подібних навантажень порівняно з попереднім показником компанії покоління
Snapdragon 820 серії.Ми раді продовжувати співпрацювати з Samsung у розробці продуктів, що ведуть мобільну індустрію », - сказав Кіт Крессін, старший віце-президент з управління продуктами, Qualcomm Technologies. Inc. “Очікується, що використання нового 10-нм вузла процесу дозволить нашому процесору Snapdragon 835 преміум-класу забезпечити більшу енергоефективність та підвищити продуктивність, а також дозволити нам додати ряд нових можливостей, які можуть покращити взаємодію з користувачем завтрашнього мобільного телефону пристроїв.
Qualcomm зараховує 10-нм вузол за його Технологія швидкої зарядки це функція, розроблена для отримання максимальної напруги та струму через кабелі USB для підвищення енергоефективності та загальної продуктивності пристрою. Але жодні потужні функції не мають власних обмежень, і саме для цього він є нестандартним сигналізація та нестандартне використання з'єднань в USB-кабелі, що, як відомо, викликає кілька несумісностей питань.
Більше того, стверджується, що технологія Quick Charge забезпечує на 20% швидший час зарядки, а також здатність забезпечувати до 5 годин роботи час автономної роботи всього за 5 хвилин зарядки. Qualcomm заснував свою претензію на внутрішньому тестуванні акумулятора на 2750 мАг, що є акумулятором досить стандартного розміру для середнього смартфона преміум-класу, який зараз доступний на ринку.
Мікросхеми Qualcomm Snapdragon 835 мають з'явитись на ринку на початку наступного року.
ПОВ'ЯЗАНІ ІСТОРІЇ, ЯКІ ВАМ ПОТРІБНО ПОВЕРИТИ
- Поверхневий телефон буде живитись від Qualcomm Snapdragon 830
- Майбутні чіпсети Intel можуть мати підтримку USB 3.1 та Wi-Fi
- Це майбутні процесори Intel Kaby Lake для настільних ПК
