Prosesor Snapdragon 835 baru Qualcomm meningkatkan kinerja sebesar 27%

qualcomm

System-on-chip unggulan Qualcomm berikutnya adalah Snapdragon 835. Perusahaan baru-baru ini meluncurkan prosesor generasi baru ini, menggantikan yang populer Snapdragon 821 dan 820 ditemukan di perangkat keras saat ini, bersama dengan lebih dari 200 desain di pasar untuk jajaran gen Snapdragon mereka saat ini.

Perusahaan tidak mengungkapkan banyak detail tentang arsitektur chip yang baru dirancang. Inilah yang kami ketahui sejauh ini tentang prosesor Snapdragon 835:

  • Chip ini dibuat menggunakan teknologi 10nm (nanometer) Samsung FinFET, menjadikannya teknologi proses semikonduktor pertama di industri, berbeda dengan proses 14nm yang digunakan pada 821.
  • Prosesor dibuat dari nanomaterial—molekul dan atom berukuran kurang dari 100 nanometer (nm) yang menunjukkan sifat berbeda dari ekuivalen partikelnya yang lebih besar: beberapa karakteristik nanomaterial yang ditingkatkan termasuk bobot yang lebih ringan, kekuatan yang lebih tinggi, dan bahan kimia yang lebih besar reaktivitas.

Bahkan, Samsung

mengklaim bahwa proses 10nm dapat mengukur hingga beberapa kombinasi peningkatan 30% dalam efisiensi area, 27% lebih banyak kinerja, atau Konsumsi daya 40% lebih rendah – mungkin sehubungan dengan beban kerja serupa, dibandingkan dengan sebelumnya perusahaan generasi Snapdragon 820 seri.

Kami bersemangat untuk terus bekerja sama dengan Samsung dalam mengembangkan produk yang memimpin industri seluler,” kata Keith Kressin, wakil presiden senior, manajemen produk, Qualcomm Technologies. Inc. “Menggunakan node proses 10nm baru diharapkan memungkinkan prosesor Snapdragon 835 tingkat premium kami untuk memberikan efisiensi daya yang lebih besar dan meningkatkan kinerja sekaligus memungkinkan kami untuk menambahkan sejumlah kemampuan baru yang dapat meningkatkan pengalaman pengguna ponsel masa depan perangkat.

Qualcomm menghargai node 10nm untuknya Teknologi Pengisian Cepat yang merupakan fitur yang dirancang untuk menghasilkan tegangan dan arus maksimum melalui kabel USB untuk meningkatkan efisiensi daya dan kinerja perangkat secara keseluruhan. Tetapi tidak ada fitur canggih yang datang tanpa batasannya sendiri dan untuk yang satu ini, ini adalah non-standar pensinyalan dan penggunaan koneksi yang tidak standar dalam kabel USB, yang diketahui meningkatkan beberapa ketidakcocokan masalah.

Selain itu, teknologi Quick Charge diklaim menawarkan waktu pengisian 20% lebih cepat serta kemampuan untuk menyediakan hingga 5 jam daya tahan baterai hanya dalam 5 menit pengisian. Qualcomm mendasarkan klaim mereka pada pengujian internal baterai 2750mAh, yang merupakan baterai berukuran cukup standar untuk rata-rata smartphone premium yang saat ini tersedia di pasaran.

Chip Qualcomm Snapdragon 835 akan muncul di pasar awal tahun depan.

CERITA TERKAIT YANG PERLU ANDA LIHAT:

  • Surface Phone akan ditenagai oleh Qualcomm Snapdragon 830
  • Chipset Intel yang akan datang dapat menampilkan dukungan USB 3.1 dan Wi-Fi
  • Ini adalah prosesor desktop Intel Kaby Lake yang akan datang
Qualcomm bergabung dengan Apple dalam perlombaan untuk supremasi komputasi seluler dengan Snapdragon X Elite [Spesifikasi Lengkap]

Qualcomm bergabung dengan Apple dalam perlombaan untuk supremasi komputasi seluler dengan Snapdragon X Elite [Spesifikasi Lengkap]QualcommSnapdragon

Snapdragon X Elite akan memberi daya pada perangkat baru mulai pertengahan tahun 2024Qualcomm merilis platform AI super-charged baru yang disebut Snapdragon X Elite yang bertujuan untuk merevolusi ...

Baca selengkapnya
Dengan Snapdragon Seamless, Qualcomm semakin mendalami persaingan AI

Dengan Snapdragon Seamless, Qualcomm semakin mendalami persaingan AIQualcomm

Teknologi baru ini berpotensi menjadi lebih baik daripada Phone Link.Qualcomm akan segera meluncurkan fitur ekosistem tertutupnya sendiri yang disebut Snapdragon Seamless.Ini bukan produk atau fitu...

Baca selengkapnya