El nuevo procesador Snapdragon 835 de Qualcomm aumenta el rendimiento en un 27%

Qualcomm

El próximo sistema insignia en chip de Qualcomm será el Snapdragon 835. La compañía presentó recientemente este procesador de nueva generación, reemplazando al popular Snapdragon 821 y 820 que se encuentran en el hardware actual, junto con más de 200 diseños en el mercado para su línea Snapdragon de generación actual.

La compañía no reveló muchos detalles sobre la arquitectura de su chip de nuevo diseño. Esto es lo que sabemos hasta ahora sobre el procesador Snapdragon 835:

  • El chip está construido con la tecnología Samsung FinFET de 10 nm (nanómetros), lo que lo convierte en el primero de la industria en tecnología de proceso de semiconductores, en contraste con el proceso de 14 nm utilizado en el 821.
  • El procesador está construido a partir de nanomateriales, moléculas y átomos de menos de 100 nanómetros (nm) de tamaño que manifiestan propiedades diferentes a las sus equivalentes de partículas más grandes: algunas características mejoradas de los nanomateriales incluyen un peso más ligero, mayor resistencia y mayor química reactividad.

Es más, Samsung afirma que el proceso de 10 nm puede medir hasta una combinación de un aumento del 30% en la eficiencia del área, un 27% más de rendimiento o 40% menos de consumo de energía, presumiblemente con respecto a cargas de trabajo similares, en comparación con las anteriores de la empresa. Generacion Snapdragon 820 serie.

Estamos entusiasmados de seguir trabajando junto con Samsung en el desarrollo de productos que lideran la industria móvil ”, dijo Keith Kressin, vicepresidente senior de gestión de productos de Qualcomm Technologies. C ª. “Se espera que el uso del nuevo nodo de proceso de 10 nm permita que nuestro procesador Snapdragon 835 de nivel premium brinde una mayor eficiencia energética y aumentar el rendimiento al tiempo que nos permite agregar una serie de nuevas capacidades que pueden mejorar la experiencia del usuario de los dispositivos móviles del mañana dispositivos.

Qualcomm acredita el nodo de 10 nm por su Tecnología de carga rápida que es una función diseñada para producir el voltaje y la corriente máximos a través de cables USB para mejorar la eficiencia energética y el rendimiento general del dispositivo. Pero ninguna característica poderosa viene sin sus propias limitaciones y para esta en particular, es la no estándar señalización y uso no estándar de las conexiones en un cable USB, que se sabe que genera varias incompatibilidades asuntos.

Además, se afirma que la tecnología Quick Charge ofrece tiempos de carga un 20% más rápidos junto con la capacidad de proporcionar hasta 5 horas de duración de la batería en solo 5 minutos de carga. Qualcomm ha basado su afirmación en pruebas internas de una batería de 2750 mAh, que es una batería de tamaño bastante estándar para el teléfono inteligente premium promedio actualmente disponible en el mercado.

Los chips Qualcomm Snapdragon 835 aparecerán en el mercado a principios del próximo año.

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